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IRF9317TRPBF Infineon Technologies

Name: IRF9317TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 9317743-5
Price: 0.5 EUR
Availability: InStock

infineon-irf9317-datasheet-v01_01-en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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Technische Details IRF9317TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm.

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IRF9317TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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IRF9317TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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IRF9317TRPBF

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Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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IRF9317TRPBF

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Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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206+	0.77 EUR
207+	0.74 EUR
233+	0.63 EUR
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IRF9317TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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183+	0.86 EUR
206+	0.74 EUR
207+	0.71 EUR
233+	0.61 EUR
295+	0.46 EUR

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IRF9317TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irf9317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356111d801d99

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V

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8000+	0.95 EUR
12000+	0.91 EUR

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IRF9317TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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103+	1.54 EUR
121+	1.26 EUR
141+	1.04 EUR
200+	0.95 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.77 EUR

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IRF9317TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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98+	1.62 EUR
103+	1.49 EUR
250+	1.38 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.1 EUR

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IRF9317TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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84+	1.9 EUR
100+	1.75 EUR
250+	1.61 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.39 EUR
2500+	1.29 EUR

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IRF9317TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF9317_DataSheet_v01_01_EN-3363336.pdf

MOSFET MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm

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23+	2.27 EUR
30+	1.74 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.07 EUR
2000+	1.01 EUR

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IRF9317TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V

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11+	2.42 EUR
14+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.06 EUR
2000+	1 EUR

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IRF9317TRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838094-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm

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IRF9317TRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm

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IRF9317TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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IRF9317TRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm

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IRF9317TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -16A
Drain-source voltage: -30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IRF9317TRPBF

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Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R

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