IRF9358TRPBF
Produktcode: 189100
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRF9358TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9358TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9358TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 123110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9358TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9358TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb |
auf Bestellung 3778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9358TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9358TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9358TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9358TRPBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9358TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9358TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9358TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.2A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
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