Technische Details IRF9362TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF9362TRPBF nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRF9362TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9362TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9362TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb |
auf Bestellung 4958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9362TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 4372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9362TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9362TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9362TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9362TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF9362TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9362TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.4 EUR |
| IRF9362TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 105+ | 1.4 EUR |
| 109+ | 1.32 EUR |
| 250+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 2500+ | 1.07 EUR |
| IRF9362TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb
MOSFETs Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb
auf Bestellung 4958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.83 EUR |
| 10+ | 1.1 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 500+ | 0.59 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 2000+ | 0.49 EUR |
| 4000+ | 0.44 EUR |
| IRF9362TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 4372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.94 EUR |
| 15+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| 2000+ | 0.52 EUR |
| IRF9362TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF9362TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF9362TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF9362TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF9362TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)