IRF9383MTRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
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Technische Details IRF9383MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF9383MTRPBF nach Preis ab 1.53 EUR bis 4.75 EUR
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com |
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V |
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
IRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com |
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET P-Channel 2.9 mOhm -30V -160A |
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V |
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V |
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IRF9383MTRPBF | Hersteller : International Rectifier |
Description: IRF9383 - 20V-250V P-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V |
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