Technische Details IRF9510PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote IRF9510PBF nach Preis ab 0.34 EUR bis 3.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 5415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9510PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 5110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 7891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9510PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 5110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9510PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 76506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9510PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9510PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 2066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9510PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 381+ | 0.38 EUR |
| 394+ | 0.35 EUR |
| 397+ | 0.34 EUR |
| IRF9510PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 99+ | 0.73 EUR |
| 118+ | 0.61 EUR |
| 127+ | 0.56 EUR |
| 135+ | 0.53 EUR |
| 250+ | 0.47 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| IRF9510PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 180+ | 0.81 EUR |
| 250+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| IRF9510PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 145+ | 1 EUR |
| 201+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.53 EUR |
| 2000+ | 0.5 EUR |
| IRF9510PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 141+ | 1.03 EUR |
| 197+ | 0.72 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 2000+ | 0.55 EUR |
| IRF9510PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 81+ | 1.79 EUR |
| 145+ | 0.96 EUR |
| 201+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 2000+ | 0.44 EUR |
| IRF9510PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
auf Bestellung 76506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.52 EUR |
| 10+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 2000+ | 0.67 EUR |
| 5000+ | 0.6 EUR |
| IRF9510PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.75 EUR |
| 50+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 2000+ | 1.12 EUR |
| IRF9510PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 2066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH





