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IRF9520PBF

IRF9520PBF

91074-datasheet.pdf
Produktcode: 154193
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 6,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
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10+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9520PBF IRF9520PBF Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.52 EUR
133+1.32 EUR
250+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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IRF9520PBF IRF9520PBF Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.58 EUR
119+1.45 EUR
133+1.25 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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IRF9520PBF IRF9520PBF Vishay Semiconductors 91074.pdf MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+1.92 EUR
100+1.4 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
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IRF9520PBF IRF9520PBF VISHAY VISH-S-A0019268326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9520PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 3321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
96+2.44 EUR
146+1.46 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IRF9520PBF IRF9520PBF Vishay Siliconix 91074.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 6391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
10+2.57 EUR
50+1.94 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF9520PBF IRF9520PBF VISHAY IRF9520PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9520PBF International Rectifier/Infineon IRF9520.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 6,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25, Qg, нКл = 18, Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 60 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 29 Stücke:
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IRF9520PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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133+1.32 EUR
250+1.21 EUR
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Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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133+1.25 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
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IRF9520PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9520PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
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IRF9520PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 6391 Stücke:
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6+4.02 EUR
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50+1.94 EUR
100+1.73 EUR
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IRF9520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 6,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25, Qg, нКл = 18, Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 60 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 29 Stücke:
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