IRF9530N
Produktcode: 7932
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
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Technische Details IRF9530N IR
- MOSFET, P TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Cont Current Id:13A
- On State Resistance:0.2ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Device Marking:IRF9530N
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:100V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:75W
- Power Dissipation Pd:75W
- Pulse Current Idm:52A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRF9530N nach Preis ab 1.61 EUR bis 1.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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IRF9530N | Infineon |
  P-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9530N |
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auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.61 EUR |