Technische Details IRF9530NSPBF
- MOSFET, P, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:14A
- On State Resistance:0.2ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:-4V
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D2-PAK
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Power Dissipation:79W
- Power Dissipation Pd:79W
- Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
- Pulse Current Idm:56A
- SMD Marking:IRF9530NS
- Transistor Case Style:D2-PAK
Weitere Produktangebote IRF9530NSPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF9530NSPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 69 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9530NSPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 69 Stücke:


