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Technische Details IRF9530PBF-BE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF9530PBF-BE3 nach Preis ab 1.01 EUR bis 3.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRF9530PBF-BE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9530PBF-BE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9530PBF-BE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9530PBF-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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