IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Weitere Produktangebote IRF9540NSTRLPBF nach Preis ab 0.95 EUR bis 9.86 EUR
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 2866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC |
auf Bestellung 1147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon |
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W; |
auf Bestellung 733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF Produktcode: 188176
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
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