IRF9540NSTRLPBF
Produktcode: 188176
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Technische Details IRF9540NSTRLPBF
- MOSFET, P, 100V, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:100V
- On State Resistance:0.117ohm
- Transistor Case Style:D2-PAK
- Alternate Case Style:TO-262AB
- Case Style:D2-PAK
- Cont Current Id:23A
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Voltage Vgs th:2V
- Power Dissipation Pd:140W
- Pulse Current Idm:76A
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:100V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRF9540NSTRLPBF nach Preis ab 0.87 EUR bis 4.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 88000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 19200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC |
auf Bestellung 12644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 19458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : International Rectifier |
D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9540NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Technology: HEXFET® |
Produkt ist nicht verfügbar |