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Technische Details IRF9540PBF-BE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Weitere Produktangebote IRF9540PBF-BE3 nach Preis ab 1.1 EUR bis 3.87 EUR
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IRF9540PBF-BE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9540PBF-BE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9540PBF-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
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IRF9540PBF-BE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET |
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IRF9540PBF-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9540PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 19A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF9540PBF-BE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 19A |
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