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IRF9540PBF Siliconix

irfp9540pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 150143
Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61
/: THT
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IRF9540PBF IRF9540PBF
Produktcode: 22645
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Hersteller : FS 91078.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.2
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61
/: THT
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : Vishay 91078.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : Vishay 91078.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : Vishay 91078.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : Vishay Siliconix 91078.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91078.pdf MOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : Vishay 91078.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : Vishay 91078.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : VISHAY 2364224.pdf Description: VISHAY - IRF9540PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : Vishay 91078.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : Vishay 91078.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3AFBEDF38469&compId=IRF9540PBF.pdf?ci_sign=b17eec85b3645bb6eac13fb05b0fb72054ced7d1 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF9540PBF IRF9540PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A3AFBEDF38469&compId=IRF9540PBF.pdf?ci_sign=b17eec85b3645bb6eac13fb05b0fb72054ced7d1 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
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Hersteller: Hitano
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Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 350V
Größe Typ: 6x2,3mm, DAusfuhr.=0,55mm
Typ: Kohlen- ausfuhrungs- miniatur
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erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet
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100+0.01 EUR
1000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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Hersteller: Hitano
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Resistenz: 10 kOhm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±300ppm
P Nenn.,W: 3W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 15x5mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+200°C
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2000 Stück - erwartet 28.08.2025
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10+0.04 EUR
100+0.04 EUR
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IRF9540NPBF
Produktcode: 31944
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irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 800 Stück:
800 Stück - erwartet 20.06.2025
Anzahl Preis
1+0.58 EUR
10+0.52 EUR
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LM393P
Produktcode: 25898
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description lm193.pdf?ts=1640569642482
LM393P
Hersteller: TI
IC > IC Vergleicher
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Anzahl Kanal: 2, U-Strom, V +-36; t3, nc
Udss,V: ±36 V
Id,A: 0.006 A
Bemerkung: 0...+70C
auf Bestellung 491 Stück:
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1+0.20 EUR
10+0.15 EUR
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1N5821
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1N5821
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201
Vrrm(V): 30
If(A): 3
VF@IF: 0,5
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 80 A
auf Bestellung 382 Stück:
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