IRF9610PBF IR/Infineon
Produktcode: 35442
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR/Infineon
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,0 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/11
Montage: THT
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Möglichen Substitutionen IRF9610PBF IR/Infineon
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9610 Produktcode: 174702
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Siliconix |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Id, A: 1,8 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,0 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/11 Montage: THT |
auf Bestellung 58 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9610 Produktcode: 174702
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,0 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/11
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,0 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/11
Montage: THT
auf Bestellung 58 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Weitere Produktangebote IRF9610PBF nach Preis ab 0.99 EUR bis 5.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 3840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 3857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -1A Pulsed drain current: -7A Power dissipation: 20W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRF9610PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF9610PBF |
IRF9610PBF Транзисторы MOS FET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 1.98 EUR |
| 90+ | 1.93 EUR |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2.02 EUR |
| 88+ | 1.98 EUR |
| 103+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |
| 2000+ | 1.17 EUR |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2.03 EUR |
| 88+ | 1.94 EUR |
| 103+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 2000+ | 1.05 EUR |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 2.15 EUR |
| 104+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 3 EUR |
| 68+ | 1.27 EUR |
| 81+ | 1.06 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 4.51 EUR |
| 81+ | 2.12 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 4.51 EUR |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.76 EUR |
| 10+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 2.07 EUR |
| 500+ | 1.75 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |
| 2000+ | 1.46 EUR |
| 5000+ | 1.4 EUR |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
auf Bestellung 1153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.87 EUR |
| 50+ | 2.93 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 1.98 EUR |
| IRF9610PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF9610PBF |
![]() |
IRF9610PBF Транзисторы MOS FET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)






