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IRF9610PBF

IRF9610PBF IR/Infineon

irf9610.pdf
Produktcode: 35442
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Hersteller: IR/Infineon
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,0 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/11
Montage: THT
auf Bestellung: 16 St.
  • 16 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9610PBF IRF9610PBF Vishay 91080.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+0.68 EUR
268+0.63 EUR
270+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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IRF9610PBF IRF9610PBF Vishay 91080.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9610PBF IRF9610PBF Vishay 91080.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.76 EUR
109+1.61 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IRF9610PBF IRF9610PBF Vishay 91080.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY IRF9610PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+3 EUR
68+1.27 EUR
81+1.06 EUR
100+0.99 EUR
250+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRF9610PBF IRF9610PBF Vishay Semiconductors 91080.pdf MOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+2.59 EUR
100+2.07 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.55 EUR
2000+1.44 EUR
5000+1.3 EUR
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IRF9610PBF IRF9610PBF VISHAY VISH-S-A0019267794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.62 EUR
106+2.19 EUR
143+1.5 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRF9610PBF 91080.pdf IRF9610PBF Транзисторы MOS FET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRF9610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1173 Stücke:
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268+0.63 EUR
270+0.61 EUR
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IRF9610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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109+1.61 EUR
250+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IRF9610PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 99 Stücke:
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IRF9610PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 277 Stücke:
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29+3 EUR
68+1.27 EUR
81+1.06 EUR
100+0.99 EUR
250+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRF9610PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1745 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.76 EUR
10+2.59 EUR
100+2.07 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.55 EUR
2000+1.44 EUR
5000+1.3 EUR
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IRF9610PBF VISH-S-A0019267794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9610PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.62 EUR
106+2.19 EUR
143+1.5 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF9610PBF Транзисторы MOS FET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH