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IRF9620

IRF9620

91082ferfu0934u9ry43.pdf
Produktcode: 31591
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Id,A: 3.5
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 350/22
/: THT
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Technische Details IRF9620 IR

  • MOSFET, P TO-220
  • Transistor Polarity:P
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:1.5ohm
  • Power Dissipation:40W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:3.5A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation Pd:40W
  • Pulse Current Idm:14A
  • Transistor Type:MOSFET

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF9620 Hersteller : Siliconix 91082.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; IRF9620 TIRF9620
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRF9620 Hersteller : Vishay/IR 91082.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220
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IRF9620 IRF9620 Hersteller : Vishay 91082.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9620 IRF9620 Hersteller : Vishay Siliconix 91082.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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