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IRF9630

IRF9630

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Produktcode: 67392
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Id,A: 4
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 700/29
/: THT
verfügbar: 12 St.
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
    IRF9630 IRF9630 Harris Corporation HRISD017-5-85.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
    auf Bestellung 28039 Stücke:
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    Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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    IRF9630 JSMSEMI HRISD017-5-85.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRF9630%2CSiHF9630.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 10A; 78W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9630; IRF9630-BE3; IRF9630 JSMICRO TIRF9630 JSM
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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    500+2.09 EUR
    1000+1.94 EUR
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    IRF9630
    Hersteller: Harris Corporation
    Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
    Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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    Hersteller: JSMSEMI
    Transistor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 10A; 78W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9630; IRF9630-BE3; IRF9630 JSMICRO TIRF9630 JSM
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