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IRF9630

IRF9630

91084y97y789t8t86t.pdf
Produktcode: 67392
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 200
Id,A: 4
Rds(on),Om: 10
Ciss, pF/Qg, nC: 700/29
/: THT
verfügbar 12 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF9630 IRF9630 Hersteller : Harris Corporation HRISD017-5-85.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 28049 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 211
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