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Technische Details IRF9630SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF9630SPBF nach Preis ab 0.79 EUR bis 4.70 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF9630SPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 |
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IRF9630SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 |
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IRF9630SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -4A Pulsed drain current: -26A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF9630SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -4A Pulsed drain current: -26A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IRF9630SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 |
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IRF9630SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
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IRF9630SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 200V 6.5A P-CH MOSFET |
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IRF9630SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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IRF9630SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 |
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IRF9630SPBF Produktcode: 176782
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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IRF9630SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SMD-220 |
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