IRF9956PBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Technische Details IRF9956PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tube, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2W, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| IRF9956PBF | International Rectifier |
 Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IRF9956PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9956PBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9956PBF |
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Hersteller: International Rectifier
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори
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| IRF9956PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9956PBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF9956PBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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