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IRF9956TRPBF Transistor

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Infineon_IRF9956_DataSheet_v01_01_EN-1732728.pdf
Produktcode: 126786
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Hersteller:
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 2,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 190/6,9
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Infineon Technologies infineon-irf9956-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9956_DataSheet_v01_01_EN-3363147.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.52 EUR
10+1.32 EUR
100+0.92 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.75 EUR
4000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF INFINEON 138764.pdf Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: HEXFET Series
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9956TRPBF IRF9956TRPBF INFINEON 138764.pdf Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF9956TRPBF Infineon Technologies irf9956pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561210491dd9 Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
17+1.3 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRF9956TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A
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IRF9956TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: HEXFET Series
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
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Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IRF9956TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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15+1.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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