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IRF9956TRPBFXTMA1 Infineon Technologies



Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8DSO-902
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Technische Details IRF9956TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8DSO-902, Supplier Device Package: PG-DSO-8-902, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF9956TRPBFXTMA1 IRF9956TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF9956_DataSheet_v01_01_EN-1732728.pdf MOSFET
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