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IRF9Z10PBF

IRF9Z10PBF Vishay

irf9z10.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRF9Z10PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 43W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF Vishay irf9z10.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF Vishay Semiconductors irf9z10.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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10+2.03 EUR
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500+1.45 EUR
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IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF Vishay Siliconix irf9z10.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
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10+2.73 EUR
50+2.07 EUR
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IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF VISHAY VISH-S-A0013187829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
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FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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