Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF9Z10PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote IRF9Z10PBF nach Preis ab 1.23 EUR bis 3.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z10PBF | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220ABPackage / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9Z10PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRF9Z10PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9 |
auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRF9Z10PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9Z10PBF |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.01 EUR |
| 50+ | 1.87 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| IRF9Z10PBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 3.81 EUR |
| 96+ | 1.77 EUR |
| 112+ | 1.46 EUR |
| IRF9Z10PBF |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.92 EUR |
| 10+ | 1.89 EUR |
| 100+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| 2000+ | 1.23 EUR |
| IRF9Z10PBF |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)