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Technische Details IRF9Z10PBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF9Z10PBF nach Preis ab 1.02 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRF9Z10PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9Z10PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z10PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9 |
auf Bestellung 2181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z10PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm directShipCharge: 25 |
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IRF9Z10PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9Z10PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF9Z10PBF | Hersteller : VISHAY |
IRF9Z10PBF THT P channel transistors |
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