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IRF9Z34N

IRF9Z34N

irf9z34n.pdf
Produktcode: 1336
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 19 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/35
Montage: THT
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Technische Details IRF9Z34N IR

  • MOSFET, P TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Current, Id Cont:17A
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Current, Idm Pulse:68A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:56W
  • Power Dissipation Pd:56W
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9Z34N IRF9Z34N International Rectifier info-tirf9z34n.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
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IRF9Z34N IRF9Z34N UMW 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 872 Stücke:
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10+2.18 EUR
16+1.37 EUR
100+0.89 EUR
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Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
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IRF9Z34N
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
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IRF9Z34N
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
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Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 3654 St.
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 99 St.
  • 99 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
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Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 613 St.
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Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1205 St.
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10+1.71 EUR
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Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
verfügbar: 39 St.
  • 39 St. - stock Köln
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 26.11.2026
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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