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IRF9Z34N

IRF9Z34N

irf9z34n.pdf
Produktcode: 1336
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 19 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/35
Montage: THT
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Technische Details IRF9Z34N IR

  • MOSFET, P TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Current, Id Cont:17A
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Current, Idm Pulse:68A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:56W
  • Power Dissipation Pd:56W
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9Z34N IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n_UMW_UMW_0001.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
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IRF9Z34N IRF9Z34N JSMicro Semiconductor TIRF9Z34n_JSM_0001.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRF9Z34N IRF9Z34N International Rectifier info-tirf9z34n.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
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IRF9Z34N IRF9Z34N International Rectifier info-tirf9z34n.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
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IRF9Z34N IRF9Z34N International Rectifier info-tirf9z34n.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
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IRF9Z34N IRF9Z34N UMW 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
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16+1.37 EUR
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IRF9Z34N description TIRF9Z34n_UMW_UMW_0001.pdf
IRF9Z34N
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
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IRF9Z34N description TIRF9Z34n_JSM_0001.pdf
IRF9Z34N
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
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IRF9Z34N
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
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IRF9Z34N
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
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IRF9Z34N
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P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
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IRF9Z34N
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
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Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 224 St.
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Produktcode: 23070
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IRFR9024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
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auf Bestellung: 746 St.
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Produktcode: 22366
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1523 St.
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
verfügbar: 39 St.
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