| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 2.9 EUR |
| 71+ | 2.45 EUR |
| 100+ | 2.23 EUR |
| 250+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.81 EUR |
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Technische Details IRF9Z34PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote IRF9Z34PBF nach Preis ab 1.19 EUR bis 6.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRF9Z34PBF | VISHAY |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -18A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of package: tube |
auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z34PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A |
auf Bestellung 4319 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z34PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z34PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9Z34PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9Z34PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9Z34PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of package: tube
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of package: tube
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 2.93 EUR |
| 49+ | 1.77 EUR |
| 57+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 250+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| IRF9Z34PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
MOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
auf Bestellung 4319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.49 EUR |
| IRF9Z34PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 1199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.75 EUR |
| 50+ | 3.39 EUR |
| 100+ | 3.07 EUR |
| 500+ | 2.5 EUR |
| 1000+ | 2.32 EUR |
| IRF9Z34PBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF9Z34PBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF9Z34PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)