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IRF9Z34PBF

IRF9Z34PBF Vishay

91092.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRF9Z34PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF Hersteller : Vishay 91092.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3DCC7682A00C7&compId=irf9z34.pdf?ci_sign=426febe0a30d9734ff79e0dd1ec09ece99d6f9b5 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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60+1.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 35
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
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Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
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IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF Hersteller : Vishay Semiconductors IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf MOSFETs TO220 P CHAN 60V
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IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF Hersteller : Vishay Siliconix IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
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IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF Hersteller : VISHAY 2364227.pdf Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 84 Stücke:
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IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF
Produktcode: 49507
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Hersteller : Vishay dwegurgtwurwer4.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.14
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
/: THT
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IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF Hersteller : Vishay doc91092.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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