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IRFB260NPBFAKMA1

IRFB260NPBFAKMA1 Infineon Technologies

infineon-irfb260n-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a40153561231771de3
Hersteller: Infineon Technologies
Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRFB260NPBFAKMA1 Infineon Technologies

Description: PLANAR 40.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB260NPBFAKMA1 Infineon Technologies infineonirfb260ndatasheetv0101en.pdf HEXFET Power MOSFET
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IRFB260NPBFAKMA1 Infineon Technologies infineonirfb260ndatasheetv0101en.pdf HEXFET Power MOSFET
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500+3.06 EUR
1000+2.76 EUR
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IRFB260NPBFAKMA1 Infineon Technologies infineonirfb260ndatasheetv0101en.pdf HEXFET Power MOSFET
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192+3.45 EUR
500+3.06 EUR
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HEXFET Power MOSFET
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