Technische Details IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm.
Weitere Produktangebote IRFB3077PBFXKMA1 nach Preis ab 2.34 EUR bis 10.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
IRFB3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IRFB3077PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 210A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
| IRFB3077PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
| IRFB3077PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IRFB3077PBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 3.76 EUR |
| 62+ | 2.69 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| IRFB3077PBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 3.77 EUR |
| 62+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 2.45 EUR |
| IRFB3077PBFXKMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 3.87 EUR |
| IRFB3077PBFXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.51 EUR |
| 10+ | 6.24 EUR |
| 100+ | 4.65 EUR |
| 500+ | 3.92 EUR |
| 1000+ | 3.71 EUR |
| 5000+ | 3.39 EUR |
| IRFB3077PBFXKMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
Description: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.79 EUR |
| 36+ | 6.62 EUR |
| 100+ | 4.5 EUR |
| 500+ | 3.43 EUR |
| 1000+ | 3.02 EUR |