
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IRFB3077PBFXKMA1 Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFB3077PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFB3077PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFB3077PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V |
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IRFB3077PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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