Weitere Produktangebote IRFB31N20DPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFB31N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB31N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB31N20DPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB31N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 31 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 31 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB31N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V |
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IRFB31N20DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC |
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