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IRFB3206PBF

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Produktcode: 34412
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0024
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
JHGF: THT
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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64+2.49 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3206_DataSheet_v01_01_EN-3363307.pdf MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP100N6F7
Produktcode: 113452		 stp100n6f7-datasheet.pdf
STP100N6F7
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
JHGF: THT
auf Bestellung 50 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526		 RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 25274 Stück
erwartet: 40000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.005 EUR
100+ 0.0034 EUR
1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Relais G2R-1-E 24DC OMRON
Produktcode: 26381
Relais G2R-1-E 24DC OMRON
Hersteller: Omron
Relais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Реле загального призначення
Spulenspannung: 24 VDC
Strom max: 16 A
Kontaktkonfiguration: SPDT(1C)
Schaltspannung: 250 VAC; 30 VDC
auf Bestellung 194 Stück:
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2200uF 50V EHL 25x25mm (EHL222M50BB-Hitano) електролітичний конденсатор
Produktcode: 153813		 ehl_20160530-datasheet.pdf
2200uF 50V EHL 25x25mm (EHL222M50BB-Hitano) електролітичний конденсатор
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EHL
Temp.Bereich: Низький ESR (Equivalent Series Resistance) і довгий термін служби c широким діапазоном температур. Жорсткі виводи
Abmessungen: ...+105°C
Lebensdauer: 25х25mm
№ 8: 5000 годин
auf Bestellung 236 Stück:
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SR10100L
Produktcode: 160639		 sr1040l_sr10100l-datasheet.pdf
SR10100L
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Vrrm(V): 100 V
If(A): 10 А
VF@IF: 0,75 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 165 Stück:
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