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IRFB3206PBF

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Produktcode: 34412
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 210 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6540/120
Montage: THT
auf Bestellung 452 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.92 EUR
2000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.37 EUR
36+2.42 EUR
45+1.9 EUR
50+1.7 EUR
100+1.48 EUR
250+1.31 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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52+3.38 EUR
120+1.42 EUR
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1000+1.33 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
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55+4.27 EUR
100+2.73 EUR
500+2.25 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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52+3.38 EUR
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1000+1.33 EUR
2000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
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52+3.31 EUR
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IRFB3206PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
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55+4.27 EUR
100+2.73 EUR
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1210 St.:
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BZX55-C11
Produktcode: 30133
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BZX55.pdf
BZX55-C11
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 11 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 7,7 mV/K
verfügbar: 6391 St.
  • 1100 St. - stock Köln
  • 5291 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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10+0.036 EUR
100+0.032 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L7812ACV
Produktcode: 33693
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description cd00000444-249828.pdf
L7812ACV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 В
Ausgangsspannung Uout, V: 12 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Ausgangstyp: Fest
Montage: THT
auf Bestellung 463 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
auf Bestellung 255891 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM317T-DG
Produktcode: 150592
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LM317T-DG
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 40 В
Ausgangsspannung Uout, V: 1,2...37 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 А
Spannungsabfall Udrop, V: 1,25 В
Ausgangstyp: Einstellbar
Temperaturbereich: 0...125°C
Montage: THT
auf Bestellung 1749 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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