
IRFB3206PBF

Produktcode: 34412
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0024
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
JHGF: THT
auf Bestellung 363 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 1.52 EUR |
10+ | 1.44 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRFB3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 15857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 11649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 11649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 14929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5784 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.50 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1.00 EUR |
BZV85-C15 Produktcode: 23982
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 0,066
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.9 до 13.6mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 0,066
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.9 до 13.6mV/K
auf Bestellung 790 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.06 EUR |
10+ | 0.04 EUR |
100+ | 0.04 EUR |
1000+ | 0.03 EUR |
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 1526
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 13624 Stück
3774 Stück - stock Köln
9850 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
9850 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
40000 Stück
40000 Stück - erwartet 28.08.2025
Anzahl | Preis |
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10+ | 0.01 EUR |
100+ | 0.00 EUR |
1000+ | 0.00 EUR |
1N4742A Produktcode: 29770
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 21mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.045 до 0.085 %/°C
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 21mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.045 до 0.085 %/°C
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.04 EUR |
100+ | 0.03 EUR |
1000+ | 0.03 EUR |
BZX55-C11 Produktcode: 30133
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 11
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 7.7mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 11
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 7.7mV/K
verfügbar: 6568 Stück
1100 Stück - stock Köln
5468 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
5468 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.03 EUR |
1000+ | 0.02 EUR |