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IRFB3206PBF

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Produktcode: 34412
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 210 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6540/120
Montage: THT
auf Bestellung: 407 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33400 Stücke:
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1000+1.92 EUR
2000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.92 EUR
2000+1.86 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.37 EUR
36+2.42 EUR
45+1.9 EUR
50+1.7 EUR
100+1.48 EUR
250+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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48+3.67 EUR
50+3.47 EUR
100+3.28 EUR
250+3.12 EUR
500+2.99 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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40+4.44 EUR
54+3.19 EUR
121+1.36 EUR
500+1.29 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
10+3.81 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.77 EUR
55+4.27 EUR
100+2.73 EUR
500+2.25 EUR
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IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 370 Stücke:
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26+3.37 EUR
36+2.42 EUR
45+1.9 EUR
50+1.7 EUR
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250+1.31 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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50+3.47 EUR
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54+3.19 EUR
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IRFB3206PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
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IRFB3206PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 1424 Stücke:
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 1102 St.
  • 1102 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
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10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
auf Bestellung: 236581 St.
  • 236581 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.012 EUR
1000+0.0086 EUR
10000+0.0063 EUR
Mindestbestellmenge: 100 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-8K2-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1787
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RC_series.pdf
8,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-8K2-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 8,2 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
erwartet: 20000 St.
  • 20000 St. - erwartet
auf Bestellung: 2698 St.
  • 2698 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.0045 EUR
1000+0.0036 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L7812ACV
Produktcode: 33693
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description cd00000444-249828.pdf
L7812ACV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 35 В
Ausgangsspannung Uout, V: 12 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Ausgangstyp: Fest
Montage: THT
auf Bestellung: 447 St.
  • 447 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.46 EUR
10+0.43 EUR
100+0.38 EUR
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100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Produktcode: 48855
10 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (CL31B104KBCNNNC – Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
auf Bestellung: 56957 St.
  • 56957 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.036 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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