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IRFB3206PBF

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Produktcode: 34412
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0024
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
JHGF: THT
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
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6+3.08 EUR
50+2.07 EUR
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500+1.63 EUR
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2000+1.42 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3206_DataSheet_v01_01_EN-3363307.pdf MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6BFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=1b9ab7ab5a0e7f7a29be1ba6c0d0457a333e87b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6BFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=1b9ab7ab5a0e7f7a29be1ba6c0d0457a333e87b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5784 Stück:
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10+1.45 EUR
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BZV85-C15
Produktcode: 23982
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BZV85.pdf
BZV85-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 0,066
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.9 до 13.6mV/K
auf Bestellung 790 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.06 EUR
10+0.04 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.03 EUR
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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526
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RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 13624 Stück
3774 Stück - stock Köln
9850 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 Stück
40000 Stück - erwartet 28.08.2025
Anzahl Preis
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100+0.00 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N4742A
Produktcode: 29770
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1N4728A-1N4764A.pdf
1N4742A
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 21mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.045 до 0.085 %/°C
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
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10+0.04 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.03 EUR
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BZX55-C11
Produktcode: 30133
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BZX55.pdf
BZX55-C11
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 11
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 7.7mV/K
verfügbar: 6568 Stück
1100 Stück - stock Köln
5468 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.02 EUR
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