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IRFB3206PBF

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Produktcode: 34412
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0024
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
JHGF: THT
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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250+2.4 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3206_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
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10+3.12 EUR
100+2.16 EUR
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : Infineon Technologies irl3803vpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3206PBF IRFB3206PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFB3206PBF Hersteller : International Rectifier irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFB3206PBF Hersteller : JSMSEMI irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1652 St.:
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BZX55-C11
Produktcode: 30133
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BZX55.pdf
BZX55-C11
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 11
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 7.7mV/K
verfügbar: 6391 St.
1100 St. - stock Köln
5291 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.027 EUR
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L7812ACV
Produktcode: 33693
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description cd00000444-249828.pdf
L7812ACV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 1 А
Bemerkung: Фіксований
auf Bestellung 76 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 500 St.:
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LM317T-DG
Produktcode: 150592
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datasheet-lm317t-dg.pdf
LM317T-DG
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C
auf Bestellung 1955 St.:
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erwartet 100 St.:
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BZX55-C24
Produktcode: 996
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BZX55.pdf
BZX55-C24
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 24
Istab.direkt,A: 0,017
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 20.4mV/K
auf Bestellung 3159 St.:
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