IRFB3207PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 65+ | 2.31 EUR |
| 75+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.80 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.50 EUR |
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Technische Details IRFB3207PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFB3207PBF nach Preis ab 2.11 EUR bis 5.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRFB3207PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3207PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3207PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3207PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC |
auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB3207PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V |
auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB3207PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3207PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3207PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB3207PBF Produktcode: 180333
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFB3207PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB3207PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB3207PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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