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IRFB3207PBF

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Produktcode: 180333
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.73 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.57 EUR
28+3.05 EUR
31+2.81 EUR
32+2.69 EUR
50+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.87 EUR
50+3.46 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.88 EUR
49+3.55 EUR
100+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.7 EUR
46+3.76 EUR
100+2.7 EUR
500+2.26 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.7 EUR
46+3.84 EUR
100+2.81 EUR
500+2.39 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irfs3207pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636708e215e Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+4.49 EUR
100+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3207_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.88 EUR
10+5.15 EUR
100+3.83 EUR
500+3.22 EUR
1000+3 EUR
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
45+5.22 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFB3207PBF Infineon irfs3207pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636708e215e Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
242+2.73 EUR
500+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRFB3207PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+3.57 EUR
28+3.05 EUR
31+2.81 EUR
32+2.69 EUR
50+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFB3207PBF irl520npbf.pdf
IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.87 EUR
50+3.46 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.88 EUR
49+3.55 EUR
100+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRFB3207PBF irl520npbf.pdf
IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+5.7 EUR
46+3.76 EUR
100+2.7 EUR
500+2.26 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+5.7 EUR
46+3.84 EUR
100+2.81 EUR
500+2.39 EUR
1000+2 EUR
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
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100+3.14 EUR
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.88 EUR
10+5.15 EUR
100+3.83 EUR
500+3.22 EUR
1000+3 EUR
2000+2.81 EUR
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IRFB3207PBF INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3207PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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30+8.59 EUR
45+5.22 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
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STTH30R03CG-TR
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STTH30R03CG-TR
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IRF1404PBF
Produktcode: 31360
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IRF1404PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
erwartet: 3 St.
  • 3 St. - erwartet
auf Bestellung: 807 St.
  • 807 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.88 EUR
10+1.73 EUR
100+1.55 EUR
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33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-33R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4018
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33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-33R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 33 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung: 7063 St.
  • 7063 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2151
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RC_series.pdf
10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
erwartet: 15000 St.
  • 15000 St. - erwartet 06.10.2026
auf Bestellung: 5200 St.
  • 5200 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH