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IRFB3207PBF

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Produktcode: 180333
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
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auf Bestellung 102 Stücke:
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1+7.2 EUR
10+3.67 EUR
100+3.31 EUR
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 174 Stücke:
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47+4.96 EUR
100+3.56 EUR
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 96 Stücke:
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IRFB3207PBF Infineon irfs3207pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636708e215e Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
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2+5.15 EUR
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
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IRFB3207PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 75V
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Dauer-Drainstrom Id: 180A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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IRFB3207PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
erwartet: 3 St.
  • 3 St. - erwartet
auf Bestellung: 687 St.
  • 687 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+1.73 EUR
100+1.55 EUR
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33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-33R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4018
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33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-33R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 33 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 4063 St.
  • 4063 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2151
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RC_series.pdf
10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
erwartet: 15000 St.
  • 15000 St. - erwartet
auf Bestellung: 4500 St.
  • 4500 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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