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IRFB3207PBF

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Produktcode: 180333
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irl520npbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
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auf Bestellung 508 Stücke:
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40+3.72 EUR
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies irfs3207pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636708e215e Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
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3+6.05 EUR
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3207_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
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1000+2.52 EUR
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
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AnzahlPreis
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500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRFB3207PBF
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Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1929 Stücke:
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AnzahlPreis
45+3.32 EUR
100+2.47 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
40+3.72 EUR
52+2.74 EUR
100+2.13 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IRFB3207PBF
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Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 505 Stücke:
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
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IRFB3207PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
auf Bestellung 223 Stücke:
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AnzahlPreis
1+6.62 EUR
10+4.33 EUR
100+3.22 EUR
500+2.71 EUR
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IRFB3207PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
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AnzahlPreis
6+11.91 EUR
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IRFB3207PBF INFN-S-A0012838599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3207PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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STTH30R03CG-TR
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STTH30R03CG-TR
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IRF1404PBF
Produktcode: 31360
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IRF1404PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
auf Bestellung 809 St.:
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erwartet 3 St.:
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33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4018
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33 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 33 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 7563 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
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100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2151
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RC_series.pdf
10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 5900 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 15000 St.:
15000 St. - erwartet
AnzahlPreis
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100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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