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IRF1404PBF

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Produktcode: 31360
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.94 EUR
47+1.82 EUR
59+1.46 EUR
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250+1.18 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2044 Stücke:
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46+3.75 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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42+4.14 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
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50+2.15 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon_irf1404_datasheet_en.pdf MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
auf Bestellung 7116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.82 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.33 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.4 EUR
73+3.2 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 148 Stücke:
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 281132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
174+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 281132 Stücke:
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174+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150000 Stücke:
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347+1.87 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
10000+1.3 EUR
100000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4377 Stücke:
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347+1.87 EUR
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11896 Stücke:
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347+1.87 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 84172 Stücke:
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347+1.87 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5165 Stücke:
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500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
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IRF1404PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 666 Stücke:
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29+2.94 EUR
47+1.82 EUR
59+1.46 EUR
100+1.33 EUR
250+1.18 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
auf Bestellung 1871 Stücke:
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5+4.41 EUR
10+2.83 EUR
50+2.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
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1+4.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.82 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.33 EUR
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IRF1404PBF INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.4 EUR
73+3.2 EUR
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF1404PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 3819 St.
  • 3819 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Produktcode: 123772
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Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Größen: 13x18x0.3mm mit Bohrung Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13x18x0,3mm
Material: Silikon
Farbe: Weiß
auf Bestellung: 15 St.
  • 15 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.058 EUR
10+0.039 EUR
100+0.031 EUR
1000+0.019 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Ladegerät für Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Produktcode: 165115
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Ladegerät für Li-Po (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Netzteile und Ladegeräte > Lademodule, Balancer und BMS
Beschreibung: Ladegerät für Li-Po mit Schutz 18650. Anschluss': type "C. Strom: 1A
4,5...5,5 VDC
4,2 В
Maximaler Strom: 1 А
27x17x4 мм
Anzahl der Zellen: 1
Gerätetyp: Lademodul
auf Bestellung: 5167 St.
  • 5167 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.79 EUR
10+0.65 EUR
100+0.56 EUR
1000+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1526
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RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 3474 St.
  • 3474 St. - stock Köln
erwartet: 30000 St.
  • 30000 St. - erwartet
auf Bestellung: 500 St.
  • 500 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705NPBF
Produktcode: 24017
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description irl3705n-datasheet.pdf
IRL3705NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
erwartet: 13 St.
  • 13 St. - erwartet
auf Bestellung: 201 St.
  • 201 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.18 EUR
10+1.07 EUR
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