IRF1404PBF


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Produktcode: 31360
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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84+2.07 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 740 Stücke:
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26+3.3 EUR
43+2.01 EUR
54+1.59 EUR
61+1.39 EUR
100+1.34 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
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10+2.18 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.89 EUR
50+2.2 EUR
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500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.7 EUR
73+3.2 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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auf Bestellung 15 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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auf Bestellung 15 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 148 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 281132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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174+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 281132 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5365 Stücke:
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347+1.87 EUR
500+1.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150000 Stücke:
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500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
10000+1.3 EUR
100000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 84172 Stücke:
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347+1.87 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
10000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11896 Stücke:
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347+1.87 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.49 EUR
10000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4377 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
347+1.87 EUR
500+1.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2442 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
84+2.07 EUR
100+1.83 EUR
500+1.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+3.3 EUR
43+2.01 EUR
54+1.59 EUR
61+1.39 EUR
100+1.34 EUR
250+1.27 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.76 EUR
86+1.94 EUR
100+1.69 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.76 EUR
86+1.99 EUR
100+1.76 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2442 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
42+4.15 EUR
84+2 EUR
100+1.73 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.27 EUR
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IRF1404PBF Infineon_IRF1404_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
auf Bestellung 7647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
10000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1404PBF irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
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5+4.52 EUR
10+2.89 EUR
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100+1.98 EUR
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IRF1404PBF INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 2200 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
44+5.7 EUR
73+3.2 EUR
100+2.51 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRF1404PBF infineonirf1404datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 148 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 3955 St.
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1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
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NIPPEL TO-220 Isolierbuchse für TO220, 6,1mm, max.130°C
Produktcode: 26109
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nippel.pdf
Hersteller: Ninigi
Isoliermaterialien
Gruppe: Isolierbuchse
Beschreibung: Isolierbuchse für TO-220
Größe: Für Gehäuse TO-220
Material: Kunststoff
Farbe: Weiß
verfügbar: 454 St.
  • 454 St. - stock Köln
erwartet: 8 St.
  • 8 St. - erwartet
auf Bestellung: 78 St.
  • 78 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.095 EUR
10+0.058 EUR
100+0.055 EUR
1000+0.046 EUR
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P6KE12CA
Produktcode: 27293
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P6KE6.8-200 series.pdf
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 12 V
Sperrspannung, Vrm: 10,2 В
Leckstrom, Irm: 5 мкА
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: THT
auf Bestellung: 1075 St.
  • 1075 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.17 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX55-C6V8
Produktcode: 42067
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BZX55.pdf
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 6,8 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 3,0 mV/K
auf Bestellung: 2418 St.
  • 2418 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.051 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.037 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Silikon-Pad TO-220 13x18x0,3mm (Sili.TO220 13 * 18mm (0 .3mm))
Produktcode: 123772
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Isoliermaterialien
Gruppe: Wärmeleitpad
Beschreibung: Größen: 13x18x0.3mm mit Bohrung Ø3mm, -60 + 180 ° C, 1, 22W
Größe: 13x18x0,3mm
Material: Silikon
Farbe: Weiß
auf Bestellung: 8821 St.
  • 8821 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.039 EUR
100+0.031 EUR
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