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IRF1404PBF

IRF1404PBF

irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
Produktcode: 31360
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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42+1.73 EUR
53+1.36 EUR
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76+0.94 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF1404-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
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10+4.03 EUR
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5368 Stück:
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BZX55-C6V8
Produktcode: 42067
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BZX55.pdf
BZX55-C6V8
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 6,8
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
auf Bestellung 3022 Stück:
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IRF1404ZPBF
Produktcode: 26520
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IRF1404ZPBF.pdf
IRF1404ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0037
JHGF: THT
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LM358N
Produktcode: 181180
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2011041434_HGSEMI-LM358M-TR_C398078.pdf
LM358N
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
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erwartet 600 Stück:
600 Stück - erwartet 04.10.2025
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CRG40T60AN3H
Produktcode: 189198
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P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Hersteller: CRMICRO
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 46,8/147,7
auf Bestellung 605 Stück:
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