IRF1404PBF
Produktcode: 31360
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
auf Bestellung 815 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3 Stück:
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRF1404PBF nach Preis ab 0.83 EUR bis 5.96 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 288588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 288588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET 40V 202A 4mOhm 160nC |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2239 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : International Rectifier Corporation | TO-220 |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRF1404PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13324 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |
IRFZ44NPBF Produktcode: 35403 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1581 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.32 EUR |
10+ | 0.28 EUR |
100+ | 0.27 EUR |
LM358N Produktcode: 181180 |
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 481 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)BZX55-C6V8 Produktcode: 42067 |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 6,8
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 6,8
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
verfügbar: 3733 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.028 EUR |
1 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-1KR-Hitano) Produktcode: 150096 |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
auf Bestellung 50 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 20000 Stück:
20000 Stück - erwartet 20.05.2024