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IRF1404PBF

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Produktcode: 31360
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf1404datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : Infineon Technologies irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF1404_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
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IRF1404PBF IRF1404PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRF1404PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 N-канальный ПТ ,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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CRG40T60AN3H
Produktcode: 189198
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P020210520320339868480.pdf
CRG40T60AN3H
Hersteller: CRMICRO
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 280 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 46,8/147,7
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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526
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RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 17674 St.
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NIPPEL TO-220 Isolierhülse für TO220, 6,1 mm, max. 130 °C
Produktcode: 26109
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nippel.pdf
NIPPEL TO-220 Isolierhülse für TO220, 6,1 mm, max. 130 °C
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Isolierhulse fur TO-220
Größe: fuer Gehause TO-220
Матеріал: Пластик
білий
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P6KE12CA
Produktcode: 27293
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P6KE6.8-200 series.pdf
P6KE12CA
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 12
n: 10,2 V
n: 5 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 1106 St.:
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100+0.1 EUR
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