CRG40T60AN3H CRMICRO
Produktcode: 189198
5
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Lieblingsprodukt
Hersteller: CRMICRO
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 280 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 46,8/147,7
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| IRF3205PBF Produktcode: 25094
17
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1283 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| IR2113SPBF Produktcode: 36565
3
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Bemerkung: High- und Low-Side-Treiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125 °C
Konfiguration: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Bemerkung: High- und Low-Side-Treiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125 °C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung 183 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.33 EUR |
| STGW50NC60W Produktcode: 38440
2
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: ST
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,6 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 55 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 285 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 52/31
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,6 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 55 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 285 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 52/31
auf Bestellung 32 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.69 EUR |
| IRF1404PBF Produktcode: 31360
1
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
auf Bestellung 809 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3 St.:
| 22 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-22R-Hitano) (SMD-Widerstand) Produktcode: 11281
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 22 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 22 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung 10000 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.043 EUR |
| 1000+ | 0.0033 EUR |