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STGW50NC60W

STGW50NC60W

STGW50NC60W.pdf
Produktcode: 38440
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,6
Ic 25: 100
Ic 100: 55
Pd 25: 285
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 52/31
auf Bestellung 24 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGW50NC60W STGW50NC60W Hersteller : STMicroelectronics 5366cd00169292.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 285000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW50NC60W STGW50NC60W Hersteller : STMicroelectronics en.CD00169292.pdf Description: IGBT 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/240ns
Switching Energy: 365µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 285 W
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STGW50NC60W STGW50NC60W Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00169292-1206057.pdf IGBT Transistors Ultra fast series
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Beschreibung: Dichtung Glimmer 1,2K/W
Größe: 18х13х0,1mm + Loch.3mm
Матеріал: Слюда.
білий
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білий
verfügbar: 1501 Stück
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1495 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
JHGF: THT
auf Bestellung 93 Stück:
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BZV55.pdf
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Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 5 Stück:
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100+0.023 EUR
1000+0.018 EUR
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Produktcode: 2993
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description STP60NF06.pdf
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 257 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.7 EUR
10+0.67 EUR
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