Technische Details IRFB33N15DPBF
- MOSFET, N, 150V, 33A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:150V
- On State Resistance:0.056ohm
- Power Dissipation:170W
- Transistor Case Style:TO-220AB
- Case Style:TO-220AB
- Cont Current Id:33A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V:56ohm
- Power Dissipation Pd:170W
- Pulse Current Idm:130A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:150V
- Typ Voltage Vgs th:5.5V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRFB33N15DPBF nach Preis ab 1.75 EUR bis 3.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRFB33N15DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB33N15DPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB33N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 33 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 170 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.056 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IRFB33N15DPBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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IRFB33N15DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V |
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