IRFB3607PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 156+ | 0.95 EUR |
| 171+ | 0.84 EUR |
| 200+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| 2000+ | 0.53 EUR |
| 4000+ | 0.49 EUR |
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Technische Details IRFB3607PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFB3607PBF nach Preis ab 0.49 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFB3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 5391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3607PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB3607PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB3607PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFB3607PBF Produktcode: 62331
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 75 Idd,A: 80 Rds(on), Ohm: 0.073 Ciss, pF/Qg, nC: 3070/56 JHGF: THT |
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IRFB3607PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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