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IRFB3607PBF

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Produktcode: 62331
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,073 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3070/56
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB3607PBF IRFB3607PBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
559+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
10000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 559 Stücke
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
auf Bestellung 544 Stücke:
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 623 Stücke:
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115+1.52 EUR
250+1.43 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1892 Stücke:
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43+2.01 EUR
50+1.74 EUR
58+1.48 EUR
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500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON INFN-S-A0012838827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
106+2.2 EUR
148+1.45 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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58+3.05 EUR
110+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3607PBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
IRFB3607PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13892 Stücke:
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1000+1.07 EUR
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IRFB3607PBF irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176
IRFB3607PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
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IRFB3607PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB3607PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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106+2.2 EUR
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500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
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39+4.58 EUR
58+3.05 EUR
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IRFB3607PBF
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STP55NF06
Produktcode: 1982
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STP55NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/44
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
erwartet: 20 St.
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 169 St.
  • 169 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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MC7805CTG
Produktcode: 37099
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MC7805CTG
Hersteller: ON
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 30 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...125°C
Montage: THT
verfügbar: 20 St.
  • 20 St. - stock Köln
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  • 321 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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