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IRFB3607PBF

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irfs3607pbf_datasheet.pdf
Produktcode: 62331
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 80
Rds(on), Ohm: 0.073
Ciss, pF/Qg, nC: 3070/56
JHGF: THT
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB3607PBF Hersteller : International Rectifier irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Trans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3607_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
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STP55NF06
Produktcode: 1982
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description STP55NF06_.pdf
STP55NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 199 St.:
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MC7805CTG
Produktcode: 37099
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mc7800-d.pdf
MC7805CTG
Hersteller: ON
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Positive Fixed
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 345 St.
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