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IRFB3607PBF

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Produktcode: 62331
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 75
Idd,A: 80
Rds(on), Ohm: 0.073
Ciss, pF/Qg, nC: 3070/56
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFB3607PBF IRFB3607PBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13892 Stücke:
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 623 Stücke:
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1970 Stücke:
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50+1.46 EUR
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IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON INFN-S-A0012838827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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IRFB3607PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
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IRFB3607PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB3607PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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Produktcode: 1982
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STP55NF06
Hersteller: ST
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 196 St.:
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10+0.57 EUR
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MC7805CTG
Produktcode: 37099
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MC7805CTG
Hersteller: ON
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Positive Fixed
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 343 St.
  • 20 St. - stock Köln
  • 323 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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