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STP55NF06

STP55NF06

STP55NF06_.pdf
Produktcode: 1982
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP55NF06 ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:50A
  • On State Resistance:0.018ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.018ohm
  • Power Dissipation Pd:30W
  • Pulse Current Idm:200A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:60V
  • Transistor Case Style:TO-220

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP55NF06 STP55NF06 Hersteller : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP55NF06 STP55NF06 Hersteller : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP55NF06 STP55NF06 Hersteller : STMicroelectronics STP55NF06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
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STP55NF06 STP55NF06 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002311.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
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STP55NF06 STP55NF06 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002311.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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STP55NF06 STP55NF06 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.CD00002311.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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STP55NF06 Hersteller : ST en.CD00002311.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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STP55NF-06
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STP55NF06 STP55NF06 Hersteller : STMicroelectronics cd0000231.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1817 St.:
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10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K)
Produktcode: 13787
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CR-S_080911.pdf
10 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-10K)
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: вугільно-плівкові
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erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet 10.05.2026
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100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MC7805CTG
Produktcode: 37099
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mc7800-d.pdf
MC7805CTG
Hersteller: ON
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Positive Fixed
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 360 St.
20 St. - stock Köln
340 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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STP11NK40Z
Produktcode: 1022
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description STP11NK40Z.pdf
STP11NK40Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 9
Rds(on), Ohm: 0.55
Ciss, pF/Qg, nC: 930/32
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 215 St.:
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100+0.4 EUR
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FQPF8N60C
Produktcode: 13455
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description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 07.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 132 St.
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