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STP55NF06

STP55NF06

STP55NF06_.pdf
Produktcode: 1982
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.018
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/44
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details STP55NF06 ST

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:50A
  • On State Resistance:0.018ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-78B
  • Max Voltage Vds:60V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.018ohm
  • Power Dissipation Pd:30W
  • Pulse Current Idm:200A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:60V
  • Transistor Case Style:TO-220

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STP55NF06 STP55NF06 Hersteller : STMicroelectronics STP55NF06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
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Polarisation: unipolar
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
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Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
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Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 80
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3700/117
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
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