STP55NF06 STMicroelectronics
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 179+ | 0.81 EUR |
| 181+ | 0.77 EUR |
| 198+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 2000+ | 0.51 EUR |
| 5000+ | 0.45 EUR |
| 10000+ | 0.44 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STP55NF06 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP55NF06 nach Preis ab 0.5 EUR bis 4.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP55NF06 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 12104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP55NF06 | ST |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP55NF06 | ST |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
STP55NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
STP55NF06 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP55NF06 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STP55NF-06 |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| STP55NF06 |
|
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP55NF06 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 180+ | 0.81 EUR |
| 181+ | 0.79 EUR |
| 198+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| 2000+ | 0.56 EUR |
| 5000+ | 0.51 EUR |
| 10000+ | 0.5 EUR |
| STP55NF06 |
![]() |
Hersteller: ST
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.46 EUR |
| STP55NF06 |
![]() |
Hersteller: ST
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; STP55NF06 TSTP55NF06
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.46 EUR |
| STP55NF06 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 38+ | 1.92 EUR |
| 97+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| STP55NF06 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.5 EUR |
| 10+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.53 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 2000+ | 1.03 EUR |
| 5000+ | 0.99 EUR |
| STP55NF06 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 20475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.49 EUR |
| 50+ | 2.22 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| 1000+ | 1.49 EUR |
| 2000+ | 1.38 EUR |
| 5000+ | 1.27 EUR |
| 10000+ | 1.25 EUR |
| STP55NF06 |
![]() |
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP55NF-06 |
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)






