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STP55NF06

STP55NF06 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP55NF06 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 30W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP55NF06 STP55NF06 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP55NF06 STP55NF06 ST info-tstp55nf06.pdf description STP55NF06 Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; TSTP55NF06
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STP55NF06 STP55NF06 ST info-tstp55nf06.pdf description STP55NF06 Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; TSTP55NF06
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STP55NF06 STP55NF06 STMicroelectronics en.CD00002311.pdf description MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
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1+5.11 EUR
10+2.87 EUR
100+2.26 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.64 EUR
5000+1.43 EUR
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STP55NF06 STP55NF06 STMICROELECTRONICS SGSTS32441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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41+6.15 EUR
73+3.2 EUR
100+2.33 EUR
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STP55NF06 STP55NF06 STMicroelectronics en.CD00002311.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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STP55NF06 STP55NF06 STMicroelectronics STP55NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP55NF-06
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Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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STP55NF06
Hersteller: ST
STP55NF06 Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; TSTP55NF06
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STP55NF06
Hersteller: ST
STP55NF06 Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ; YFW60N06AT; TSTP55NF06
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AnzahlPrivatkunde
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10+2.87 EUR
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500+1.87 EUR
1000+1.74 EUR
2000+1.64 EUR
5000+1.43 EUR
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STP55NF06
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP55NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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41+6.15 EUR
73+3.2 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 779 Stücke:
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STP55NF-06
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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