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Technische Details IRFB3607PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm.
Weitere Produktangebote IRFB3607PBFXKMA1 nach Preis ab 1.02 EUR bis 5.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IRFB3607PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs IR FET >60-400V |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB3607PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
auf Bestellung 1913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB3607PBFXKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.14 EUR |
| 10+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| 2000+ | 1.02 EUR |
| IRFB3607PBFXKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
Description: INFINEON - IRFB3607PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Produktpalette: HEXFET Series
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.09 EUR |
| 79+ | 2.98 EUR |
| 120+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |