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IRFB38N20DPBF

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Produktcode: 76399
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRFB38N20DPBF

  • MOSFET, N, 200V, 44A, TO-220
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.054ohm
  • Power Dissipation:320W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:44A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.47`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:54ohm
  • Power Dissipation Pd:320W
  • Pulse Current Idm:180A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRFB38N20DPBF nach Preis ab 1.25 EUR bis 5.28 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF Infineon Technologies infineonirfs38n20ddsv0102en.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF Infineon Technologies Infineon-IRFS38N20D-DS-v01_02-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
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IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF Infineon Technologies irfs38n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ba7e2181 description Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
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IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
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IRFB38N20DPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Description: MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
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IRFB38N20DPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB38N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 44 A, 0.054 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
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Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
auf Bestellung 360 Stücke:
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