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IRFB4019PBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRFB4019PBF

  • MOSFET, N, 150V, TO-220AB
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:150V
  • Cont Current Id:17A
  • On State Resistance:0.095ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4.9V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Base Number:4019
  • Max Voltage Vds:150V
  • Max Voltage Vgs th:4.9V
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • N-channel Gate Charge:13nC
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation:80mW
  • Power Dissipation Pd:80W
  • Pulse Current Idm:51A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4019pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 352 Stücke:
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42+2.06 EUR
53+1.63 EUR
62+1.38 EUR
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94+0.92 EUR
100+0.88 EUR
250+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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53+3.34 EUR
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500+1.04 EUR
1000+0.88 EUR
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5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies Infineon-IRFB4019-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
auf Bestellung 362 Stücke:
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1+4.13 EUR
10+2 EUR
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON INFN-S-A0012837744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
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60+4.18 EUR
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IRFB4019PBF IRFB4019PBF Infineon Technologies irfb4019pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561587651e03 description Description: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
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5+4.19 EUR
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50+2.02 EUR
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IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF description infineonirfb4019datasheetv0101en.pdf
IRFB4019PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4019PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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42+2.06 EUR
53+1.63 EUR
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250+0.83 EUR
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IRFB4019PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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124+1.32 EUR
500+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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120+1.37 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB4019PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
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1000+1.29 EUR
2000+1.2 EUR
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IRFB4019PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
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60+4.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRFB4019PBF description irfb4019pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561587651e03
IRFB4019PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
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HV9961LG-G
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HV9961LG-G
Hersteller: Supertex
IC > IC LED-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vcc, V: 8...450 V
Ausgangsstrom Iausg., mA: 165 mA
Oszillatorfrequenz Fosc, kHz: 500 kHz
Kanalzahl: 1
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°С
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