Technische Details IRFB4212 IR
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-220, Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V, Drain-Strom Idd, A: 13 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 72,5 mOhm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/15, Montage: THT.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRFB4212 Produktcode: 99478
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 13 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 72,5 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/15 Montage: THT |
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IRFB4212 | Infineon / IR | MOSFET |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFB4212 Produktcode: 99478
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 72,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/15
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 72,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/15
Montage: THT
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 1.19 EUR |
| 10+ | 1.09 EUR |
| IRFB4212 |
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET
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