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IRFB4227PBF

IRFB4227PBF

infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf
Produktcode: 25579
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4600/70
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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70+2.44 EUR
82+2.02 EUR
100+1.89 EUR
500+1.8 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 190W
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 227 Stücke:
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35+2.5 EUR
38+2.28 EUR
42+2.06 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+2.7 EUR
1000+2.44 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 75255 Stücke:
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44+3.88 EUR
71+2.32 EUR
100+2 EUR
500+1.68 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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44+3.88 EUR
71+2.37 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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36+4.75 EUR
50+4.5 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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31+5.52 EUR
60+2.75 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
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31+5.52 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 4834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.24 EUR
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500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.54 EUR
31+7.72 EUR
100+3.69 EUR
500+3 EUR
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17200 Stücke:
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+2.44 EUR
82+2.02 EUR
100+1.89 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRFB4227PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 190W
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 227 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
35+2.5 EUR
38+2.28 EUR
42+2.06 EUR
50+1.81 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
210+3.03 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
210+3.03 EUR
500+2.7 EUR
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IRFB4227PBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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44+3.88 EUR
71+2.32 EUR
100+2 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.55 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 75255 Stücke:
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71+2.37 EUR
100+2.08 EUR
500+1.77 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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60+2.75 EUR
100+2.31 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB4227PBF
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Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
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IRFB4227PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 2650 Stücke:
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Stecker 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W)
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Hersteller: NINIGI
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbinder Telefon (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Funktionsbeschreibung: Stecker 8P8C
Typ: RJ45
Stecker/Buchse: Stecker
...C (Anzahl der Kontakte): 8P8C
Zolltarifnummer: 8536 69 90 90
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 19000 St.
  • 10000 St. - erwartet 24.08.2026
  • 9000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.19 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.077 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Stecker 8P8C geschirmt (YH-015) (KLS12-RJ45B-8P8C)
Produktcode: 8288
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YH-015.pdf
Stecker 8P8C geschirmt (YH-015) (KLS12-RJ45B-8P8C)
Hersteller: CZT, KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbinder Telefon (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Funktionsbeschreibung: Stecker geschirmt 8P8CS
Typ: RJ45
Stecker/Buchse: Stecker
...C (Anzahl der Kontakte): 8P8C
Zolltarifnummer: 8536 69 90 90
verfügbar: 230 St.
  • 230 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 22.10.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Halbleiterrelais CPC1008NTR
Produktcode: 22409
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Halbleiterrelais CPC1008NTR
Hersteller: CLARE
Relais
Relaistyp: Halbleiterrelais
Beschreibung: SOP-4 1,5 kV 50/150 mA 100 V 2000/500 μs -40 ... + 85 ° C
Abmessungen: 1,5
Spulenspannung: 1,2 VDC
Strom max.: 0,15 A
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
Schaltspannung: 100 VDC
auf Bestellung: 1067 St.
  • 1067 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.25 EUR
10+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 39621
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RC0603HIT.pdf
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 9,53 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
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G205CMF (Gainta, Gehäuse, PC, mit transparentem Deckel, hellgrau, 115x65x55mm)
Produktcode: 55562
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g205mf_g308mf.pdf
G205CMF (Gainta, Gehäuse, PC, mit transparentem Deckel, hellgrau, 115x65x55mm)
Hersteller: Gainta
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Gehäuse dichtes feuchtigkeitsdicht (IP65) mit Flanschen zur Befestigung; transparent Deckel
Art, Typ, Gruppe: Dichte Gehäuse
Material: Kunststoff/Polycarbonat
Farbe: Hellgrau mit transparentem Deckel
Länge, mm: 115,0 mm
Breite, mm: 65,0 мм
Höhe, mm: 55,0 мм
Gesamtabmessungen: 115,0x65,0x55,0 мм
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