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IRFB4227PBF

IRFB4227PBF

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Produktcode: 25579
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4600/70
Montage: THT
verfügbar: 68 St.
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
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85+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 352 Stücke:
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 190W
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.5 EUR
38+2.28 EUR
42+2.06 EUR
50+1.81 EUR
100+1.57 EUR
250+1.31 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.22 EUR
100+2.87 EUR
500+2.28 EUR
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2000+1.89 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
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55+3.22 EUR
100+2.81 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.95 EUR
2000+1.75 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 870 Stücke:
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36+4.91 EUR
50+4.65 EUR
100+4.4 EUR
250+4.18 EUR
500+4 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
57+4.08 EUR
100+2.31 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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29+6.25 EUR
57+3.02 EUR
100+2.63 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 84710 Stücke:
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28+6.38 EUR
56+3.08 EUR
100+2.68 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.67 EUR
5000+1.49 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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28+6.38 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.53 EUR
50+3.27 EUR
100+2.95 EUR
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 352 Stücke:
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IRFB4227PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 190W
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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38+2.28 EUR
42+2.06 EUR
50+1.81 EUR
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 918 Stücke:
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57+4.08 EUR
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Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3330 Stücke:
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100+2.95 EUR
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Stecker 8P8C (TP8-8P8C) (RJ45W)
Produktcode: 8283
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Hersteller: NINIGI
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbinder Telefon (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Funktionsbeschreibung: Stecker 8P8C
Typ: RJ45
Stecker/Buchse: Stecker
...C (Anzahl der Kontakte): 8P8C
Zolltarifnummer: 8536 69 90 90
auf Bestellung 1102 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.14 EUR
10+0.11 EUR
100+0.084 EUR
1000+0.077 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Stecker 8P8C geschirmt (YH-015) (KLS12-RJ45B-8P8C)
Produktcode: 8288
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YH-015.pdf
Stecker 8P8C geschirmt (YH-015) (KLS12-RJ45B-8P8C)
Hersteller: CZT, KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbinder Telefon (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Funktionsbeschreibung: Stecker geschirmt 8P8CS
Typ: RJ45
Stecker/Buchse: Stecker
...C (Anzahl der Kontakte): 8P8C
Zolltarifnummer: 8536 69 90 90
verfügbar: 1769 St.
  • 230 St. - stock Köln
  • 1539 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
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AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.24 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Halbleiterrelais CPC1008NTR
Produktcode: 22409
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Halbleiterrelais CPC1008NTR
Hersteller: CLARE
Relais
Relaistyp: Halbleiterrelais
Beschreibung: SOP-4 1,5 kV 50/150 mA 100 V 2000/500 μs -40 ... + 85 ° C
Abmessungen: 1,5
Spulenspannung: 1,2 VDC
Strom max.: 0,15 A
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
Schaltspannung: 100 VDC
auf Bestellung 1123 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+0.71 EUR
10+0.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 39621
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RC0603HIT.pdf
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 9,53 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
verfügbar: 21570 St.
  • 1200 St. - stock Köln
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AnzahlPrivatkunde
10+0.0033 EUR
100+0.0019 EUR
1000+0.0011 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G205CMF (Gainta, Gehäuse, PC, mit transparentem Deckel, hellgrau, 115x65x55mm)
Produktcode: 55562
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g205mf_g308mf.pdf
G205CMF (Gainta, Gehäuse, PC, mit transparentem Deckel, hellgrau, 115x65x55mm)
Hersteller: Gainta
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Gehäuse dichtes feuchtigkeitsdicht (IP65) mit Flanschen zur Befestigung; transparent Deckel
Art, Typ, Gruppe: Dichte Gehäuse
Material: Kunststoff/Polycarbonat
Farbe: Hellgrau mit transparentem Deckel
Länge, mm: 115,0 mm
Breite, mm: 65,0 мм
Höhe, mm: 55,0 мм
Gesamtabmessungen: 115,0x65,0x55,0 мм
auf Bestellung 159 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+8.52 EUR
10+7.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH