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IRFB4227PBF

IRFB4227PBF

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Produktcode: 25579
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.197
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
JHGF: THT
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 817 Stücke:
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35+2.1 EUR
38+1.92 EUR
42+1.73 EUR
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250+1.1 EUR
500+1.02 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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36+4.08 EUR
50+3.87 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Infineon Technologies infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3789 Stücke:
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4+4.84 EUR
50+2.37 EUR
100+2.13 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
85+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 73210 Stücke:
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AnzahlPreis
84+1.76 EUR
100+1.69 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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IRFB4227PBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 817 Stücke:
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35+2.1 EUR
38+1.92 EUR
42+1.73 EUR
50+1.52 EUR
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250+1.1 EUR
500+1.02 EUR
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 73210 Stücke:
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53+2.8 EUR
83+1.7 EUR
100+1.6 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
36+4.08 EUR
50+3.87 EUR
100+3.66 EUR
250+3.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRFB4227PBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3438 Stücke:
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IRFB4227PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
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IRFB4227PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
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Stecker 8P8C (TP8-8P8C)(RJ45W)
Produktcode: 8283
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YH-012 8P8C.pdf
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Stecker 8P8C (TP8-8P8C)(RJ45W)Stecker 8P8C (TP8-8P8C)(RJ45W)
Hersteller: CZT
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbinder Telefon (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Beschreibung: Stecker 8P8C
Typ: RJ45
Stecker/Steckdose: Stecker
Anzahl der Kontakte: 8C
№ 6: 8536699090
auf Bestellung 2343 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 St.:
AnzahlPreis
1+0.12 EUR
10+0.092 EUR
100+0.071 EUR
1000+0.065 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KLS12-RJ45B-8P8C
Produktcode: 8288
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
YH-015.pdf
KLS12-RJ45B-8P8C
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbinder Telefon (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
Beschreibung: Stecker geschirmt 8P8CS
Typ: RJ45
Stecker/Steckdose: Stecker
Anzahl der Kontakte: 8C
№ 6: 8536699090
verfügbar: 2287 St.
  • 230 St. - stock Köln
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erwartet: 10100 St.
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10+0.2 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CPC1008NTR
Produktcode: 22409
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-datasheet?assetguid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476
CPC1008NTR
Hersteller: CLARE
Relais
Relaistyp: SOP-4
Beschreibung: 1 Feld-Trans. 8 Ohm
Abmessungen: 1.5
Spulenspannung: 50/150
Strom max: 100
Kontaktkonfiguration: 2000/500
Schaltspannung: 100 VDC
auf Bestellung 1379 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.6 EUR
10+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 39621
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RC0603HIT.pdf
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 9,53 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
verfügbar: 21570 St.
  • 1200 St. - stock Köln
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AnzahlPreis
10+0.0028 EUR
100+0.0016 EUR
1000+0.0009 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G205CMF (Gainta, Gehäuse, PC, mit transparentem Deckel, hellgrau, 115x65x55mm)
Produktcode: 55562
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g205mf_g308mf.pdf
G205CMF (Gainta, Gehäuse, PC, mit transparentem Deckel, hellgrau, 115x65x55mm)
Hersteller: Gainta
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Hermetisches, feuchtigkeitsdichtes Gehäuse (IP65) mit Befestigungsflanschen; transparenter Deckel
Art, Typ, Gruppe: Dichte Gehäuse
Material: Kunststoff/Polycarbonat
Farbe: Hellgrau mit transparentem Deckel
Länge, mm: 115,0 mm
Breite, mm: 65,0 mm
Höhe, mm: 55,0 mm
Gesamtabmessungen: 115,0x65,0x55,0 mm
auf Bestellung 165 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2 St.:
AnzahlPreis
1+7.16 EUR
10+6.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH