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IRFB4227PBF

Name: IRFB4227PBF
Brand: IR
SKU: 25579
Price: 5 EUR
Availability: InStock

irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f

Produktcode: 25579

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.197
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
JHGF: THT

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IRFB4227PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4227PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRFB4227PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
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IRFB4227PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V

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500+	2.88 EUR
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2000+	2.35 EUR

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IRFB4227PBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRFB4227PBF

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IRFB4227PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFB4227_DataSheet_v01_01_EN-3362990.pdf

MOSFETs MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg

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100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 27260

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100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 100 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603

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9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 39621

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9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 9,53 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603

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UC3843BD1013TR
Produktcode: 56902

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Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: Switching Controllers 0.5mA Current Mode,500 kHz,4.90 V to 5.10 V

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1 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-071KL-YAGEO) (резистор SMD)
Produktcode: 182684

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1 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-071KL-YAGEO) (резистор SMD)

Hersteller: YAGEO
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 1 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 75 V
U Betriebs.,V: 0603

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200 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-200K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 386

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200 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-200K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 200 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603

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