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IRFB4227PBF

IRFB4227PBF

infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf
Produktcode: 25579
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.197
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
JHGF: THT
verfügbar 18 Stück:
3 Stück - stock Köln
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6809 Stücke:
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
43+1.67 EUR
50+1.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 38
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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57+2.5 EUR
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50+4.08 EUR
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4227-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Hersteller : INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb4227datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBF IRFB4227PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFB4227-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
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100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 27260
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RC0603HIT.pdf
100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 100 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
verfügbar: 6021 Stück
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40000 Stück - erwartet 25.12.2025
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9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 39621
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RC0603HIT.pdf
9,53 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-9K53-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 9,53 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
verfügbar: 22570 Stück
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21370 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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UC3843BD1013TR
Produktcode: 56902
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en.CD00000966.pdf
UC3843BD1013TR
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: Switching Controllers 0.5mA Current Mode,500 kHz,4.90 V to 5.10 V
auf Bestellung 311 Stück:
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1 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-071KL-YAGEO) (резистор SMD)
Produktcode: 182684
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rc0603-272842.pdf
1 kOhm 1% 0,1W 75V 0603 (RC0603FR-071KL-YAGEO) (резистор SMD)
Hersteller: YAGEO
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 1 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 75 V
U Betriebs.,V: 0603
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200 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-200K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 386
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200 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-200K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 200 kOhm
Resistenz: ±1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
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