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IRFB4321PBF

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Produktcode: 165134
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRFB4321PBF

  • MOSFET, N, 150V, TO-220AB
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:150V
  • On State Resistance:0.015ohm
  • Power Dissipation:330mW
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Base Number:4321
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:83A
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • N-channel Gate Charge:71nC
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:330A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:150V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRFB4321PBF nach Preis ab 2.2 EUR bis 28.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4321PBF IRFB4321PBF Infineon Technologies infineonirfb4321datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4639 Stücke:
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61+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IRFB4321PBF IRFB4321PBF Infineon Technologies infineonirfb4321datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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30+5.99 EUR
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IRFB4321PBF IRFB4321PBF Infineon Technologies infineonirfb4321datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+2.48 EUR
2000+2.24 EUR
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33+5.34 EUR
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IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON INFN-S-A0012838500-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 806 Stücke:
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29+8.75 EUR
44+5.33 EUR
100+3.62 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFB4321PBF IRFB4321PBF Infineon Technologies infineon-irfb4321-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.15 EUR
10+6.05 EUR
50+4.7 EUR
100+4.27 EUR
500+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4321PBF-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3 Stücke:
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3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4321PBF description infineonirfb4321datasheetv0101en.pdf
IRFB4321PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4321PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFB4321PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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35+4.88 EUR
100+3.43 EUR
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IRFB4321PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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35+5.01 EUR
100+3.58 EUR
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IRFB4321PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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34+5.24 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4321PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
auf Bestellung 1750 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IRFB4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3 Stücke:
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