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IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies



Hersteller: Infineon Technologies
IRFB4332PBFXKMA1
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Technische Details IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 390W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4332PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfb4332-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFB4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
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IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
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IRFB4332PBFXKMA1 infineon-irfb4332-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
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Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
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