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IRFB4410ZPBF

IRFB4410ZPBF Infineon Technologies

infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3270 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
387+1.71 EUR
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Technische Details IRFB4410ZPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Weitere Produktangebote IRFB4410ZPBF nach Preis ab 0.75 EUR bis 5.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.64 EUR
37+2.31 EUR
49+1.75 EUR
55+1.57 EUR
64+1.34 EUR
100+1.21 EUR
200+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.34 EUR
100+2.32 EUR
500+1.84 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.78 EUR
62+2.77 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.78 EUR
62+2.83 EUR
100+2.14 EUR
500+1.74 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.36 EUR
53+3.25 EUR
100+2.19 EUR
500+1.71 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.79 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
81+2.88 EUR
120+1.8 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a description Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.55 EUR
100+2.43 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf
IRFB4410ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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33+2.64 EUR
37+2.31 EUR
49+1.75 EUR
55+1.57 EUR
64+1.34 EUR
100+1.21 EUR
200+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFB4410ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.34 EUR
100+2.32 EUR
500+1.84 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.88 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB4410ZPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+3.78 EUR
62+2.77 EUR
100+2.06 EUR
500+1.64 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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62+2.83 EUR
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53+3.25 EUR
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IRFB4410ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRFB4410ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
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4+5.53 EUR
10+3.55 EUR
100+2.43 EUR
500+1.94 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBF description infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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