Technische Details IRFB4610PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFB4610PBF nach Preis ab 1.63 EUR bis 109.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFB4610PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4610PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg |
auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4610PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4610PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IRFB4610PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 28+ | 2.63 EUR |
| 29+ | 2.52 EUR |
| 32+ | 2.26 EUR |
| 34+ | 2.16 EUR |
| 50+ | 2 EUR |
| 100+ | 1.89 EUR |
| 200+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| IRFB4610PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.78 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.95 EUR |
| 1000+ | 1.65 EUR |
| IRFB4610PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 109.34 EUR |
| IRFB4610PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






