IRFB4610PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB4610PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFB4610PBF nach Preis ab 1.2 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFB4610PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4610PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4610PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4610PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB4610PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4610PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg |
auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4610PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4610PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4610PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V |
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