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IRFB4615PBF

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Produktcode: 99481
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 35 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 32 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1750/26
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB4615PBF IRFB4615PBF Infineon Technologies infineonirfb4615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.99 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4615PBF IRFB4615PBF Infineon Technologies infineonirfb4615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4615PBF IRFB4615PBF Infineon Technologies infineonirfb4615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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117+1.5 EUR
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IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
59+1.46 EUR
60+1.43 EUR
63+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRFB4615PBF IRFB4615PBF Infineon Technologies infineonirfb4615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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380+1.74 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
10000+1.21 EUR
100000+1 EUR
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IRFB4615PBF IRFB4615PBF Infineon Technologies infineonirfb4615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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57+3.14 EUR
147+1.19 EUR
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IRFB4615PBF IRFB4615PBF Infineon Technologies infineonirfb4615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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53+3.34 EUR
55+3.17 EUR
100+3 EUR
250+2.84 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.62 EUR
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IRFB4615PBF IRFB4615PBF Infineon Technologies irfb4615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356165a741e42 Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 6 Stücke:
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IRFB4615PBF IRFB4615PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4615_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg
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10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.65 EUR
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IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON INFN-S-A0012837764-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
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IRFB4615PBF IRFB4615PBF Infineon Technologies infineonirfb4615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4615PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4615PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+0.99 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 70 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
55+1.57 EUR
59+1.46 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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100000+1 EUR
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 6 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFB4615PBF
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MOSFETs MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg
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Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
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IRFB4615PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
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