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IRFB52N15DPBF

IRFB52N15DPBF Infineon Technologies

infineon-irfs52n15d-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB52N15DPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs52n15d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs52n15d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
On-state resistance: 32mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
25+2.92 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
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1000+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs52n15d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
On-state resistance: 32mΩ
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs52n15d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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38+3.75 EUR
55+2.51 EUR
57+2.33 EUR
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500+1.52 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.36 EUR
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF
Produktcode: 59925
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs52n15d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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38+3.77 EUR
55+2.52 EUR
57+2.34 EUR
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs52n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a562221c1 Description: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
auf Bestellung 16682 Stücke:
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Anzahl Preis
4+4.66 EUR
50+2.87 EUR
100+2.65 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.09 EUR
2000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS52N15D_DataSheet_v01_01_EN-3363367.pdf MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
auf Bestellung 1083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.70 EUR
10+4.52 EUR
25+3.13 EUR
100+2.68 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs52n15d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs52n15d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs52n15d-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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