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IRFB52N15DPBF

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Produktcode: 59925
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS52N15D_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Infineon Technologies irfs52n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a562221c1 Description: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON INFN-S-A0012837866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 1767 Stücke:
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35+7.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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64+2.74 EUR
100+2.59 EUR
250+2.45 EUR
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Description: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
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IRFB52N15DPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
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Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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