Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFB5615PBF
IRFB5615PBF

IRFB5615PBF

irfb5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48
Produktcode: 118300
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFB5615PBF nach Preis ab 0.93 EUR bis 4.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.63 EUR
143+1.23 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.28 EUR
109+1.57 EUR
143+1.15 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.52 EUR
47+1.83 EUR
52+1.67 EUR
59+1.45 EUR
65+1.31 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+3.01 EUR
91+1.87 EUR
126+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.03 EUR
91+1.93 EUR
125+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB5615_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.7 EUR
100+1.87 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.26 EUR
5000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies irfb5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48 Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.24 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.52 EUR
52+3.34 EUR
100+3.15 EUR
250+3 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON INFN-S-A0012838654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
138+1.69 EUR
169+1.27 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+1.63 EUR
143+1.23 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+2.28 EUR
109+1.57 EUR
143+1.15 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF irfb5615pbf.pdf
IRFB5615PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+2.52 EUR
47+1.83 EUR
52+1.67 EUR
59+1.45 EUR
65+1.31 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+3.01 EUR
91+1.87 EUR
126+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
58+3.03 EUR
91+1.93 EUR
125+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF Infineon_IRFB5615_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFB5615PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.45 EUR
10+2.7 EUR
100+1.87 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.26 EUR
5000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF irfb5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48
IRFB5615PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.52 EUR
10+2.24 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf
IRFB5615PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.52 EUR
52+3.34 EUR
100+3.15 EUR
250+3 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB5615PBF INFN-S-A0012838654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB5615PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.12 EUR
138+1.69 EUR
169+1.27 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH