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IRFB5615PBF

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Produktcode: 118300
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1988 Stücke:
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IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies infineonirfb5615datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies Infineon-IRFB5615-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
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IRFB5615PBF IRFB5615PBF Infineon Technologies irfb5615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561674e71e48 Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
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