Weitere Produktangebote IRFB5615PBF nach Preis ab 0.28 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 6025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC |
auf Bestellung 2295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |