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IRFB7437PBF

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Produktcode: 202363
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Transistoren > MOSFET N-CH

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auf Bestellung 507000 Stücke:
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auf Bestellung 1780 Stücke:
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126+1.39 EUR
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auf Bestellung 3262 Stücke:
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111+1.59 EUR
121+1.44 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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auf Bestellung 7100 Stücke:
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300+2.2 EUR
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500+1.95 EUR
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auf Bestellung 3262 Stücke:
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68+2.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+3 EUR
43+2.01 EUR
52+1.67 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1780 Stücke:
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55+3.24 EUR
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500+1.07 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON INFN-S-A0012837857-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
77+3.03 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB7437_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
auf Bestellung 1515 Stücke:
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1+4.94 EUR
10+2.43 EUR
100+2.2 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.55 EUR
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Infineon Technologies irfb7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616ace51e57 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
auf Bestellung 2876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
50+2.46 EUR
100+2.21 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFB7437PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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IRFB7437PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 507000 Stücke:
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IRFB7437PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3262 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
111+1.59 EUR
121+1.44 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7100 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
300+2.2 EUR
500+1.95 EUR
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IRFB7437PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
300+2.2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.76 EUR
10000+1.54 EUR
100000+1.26 EUR
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AnzahlPrivatkunde
68+2.59 EUR
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120+1.36 EUR
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1000+0.95 EUR
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IRFB7437PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 177 Stücke:
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43+2.01 EUR
52+1.67 EUR
100+1.5 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 1780 Stücke:
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IRFB7437PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 358 Stücke:
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77+3.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
auf Bestellung 1515 Stücke:
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1+4.94 EUR
10+2.43 EUR
100+2.2 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.59 EUR
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IRFB7437PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
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50+2.46 EUR
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