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IRFB7437PBF

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Produktcode: 202363
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB7437_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616ace51e57 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837857-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFB7437PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon Infineon-IRFB7437-DataSheet-v01_01-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 195 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7330 @ 25, Qg, нКл = 225 @ 10, Rds = 2 @ 100 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,9 @ 150 мкА В, Р, Вт = 230, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од.
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 18 Stücke:
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr024npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Hersteller : International Rectifier irfb7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616ace51e57 MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLB8743PBF
Produktcode: 124979
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IRLB8743PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
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IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
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IRLB3813PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IR4427PBF
Produktcode: 74249
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IR4427PBF
Hersteller: Infineon

DIP-8
Gate Drivers Dual Lw Sd Drvr
auf Bestellung 67 St.:
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1635 St.
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