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IRFB7437PBF

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Produktcode: 202363
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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99+1.74 EUR
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB7437_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC
auf Bestellung 1396 Stücke:
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1+4.94 EUR
10+2.43 EUR
100+2.05 EUR
500+1.71 EUR
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF Infineon Technologies infineon-irfb7437-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
auf Bestellung 2758 Stücke:
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5+5.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 230W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 250A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 255 Stücke:
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IRFB7437PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 230W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 250A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Trade name: StrongIRFET
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