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IRFB7446PBF

IRFB7446PBF Infineon Technologies

infineonirfb7446datasheetv0101en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB7446PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7446PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 99W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAD99D30235EA&compId=IRFB7446PBF.pdf?ci_sign=6a49d11612e82c301cf8185b0441112f35f31c0e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 99W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
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Produktcode: 164381
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irfb7446pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535619d9811e64 Transistoren > MOSFET N-CH
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 99W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb7446pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535619d9811e64 Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
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8+2.43 EUR
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100+0.9 EUR
500+0.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFB7446-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W
auf Bestellung 1986 Stücke:
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10+0.95 EUR
100+0.89 EUR
500+0.76 EUR
2000+0.7 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Hersteller : INFINEON irfb7446pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535619d9811e64 Description: INFINEON - IRFB7446PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1751 Stücke:
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