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IRFB7446PBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Infineon Technologies infineonirfb7446datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Infineon Technologies infineonirfb7446datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Infineon Technologies infineonirfb7446datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Infineon Technologies infineonirfb7446datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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58+3.01 EUR
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.53 EUR
50+1.92 EUR
100+1.71 EUR
500+1.36 EUR
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Infineon Technologies infineon_irfb7446_datasheet_en.pdf MOSFETs 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W
auf Bestellung 1851 Stücke:
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1+3.97 EUR
10+1.93 EUR
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2000+1.17 EUR
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON INFN-S-A0012813344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7446PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 99W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1244 Stücke:
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53+4.72 EUR
108+2.15 EUR
125+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 239 Stücke:
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IRFB7446PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 556 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
239+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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IRFB7446PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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IRFB7446PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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IRFB7446PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+0.82 EUR
213+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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IRFB7446PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.92 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB7446PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
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1000+0.92 EUR
2000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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117+1.48 EUR
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500+0.93 EUR
1000+0.89 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15118 Stücke:
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403+1.61 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.29 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1778 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
64+2.7 EUR
119+1.43 EUR
143+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1778 Stücke:
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119+1.39 EUR
143+1.12 EUR
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IRFB7446PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1570 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
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MOSFETs 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W
auf Bestellung 1851 Stücke:
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1+3.97 EUR
10+1.93 EUR
100+1.71 EUR
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2000+1.17 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7446PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 99W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1244 Stücke:
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53+4.72 EUR
108+2.15 EUR
125+1.73 EUR
500+1.38 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
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