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IRFB7446PBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB7446_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb7446pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535619d9811e64 Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfb7446datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7446PBF IRFB7446PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7446PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 99W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFB7446PBF Hersteller : International Rectifier irfb7446pbf.pdf MOSFET N CH 40V TO220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLB8743PBF
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IRLB8743PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5110/36
JHGF: THT
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IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
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IRLB3813PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IR4427PBF
Produktcode: 74249
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IR4427PBF
Hersteller: Infineon

DIP-8
Gate Drivers Dual Lw Sd Drvr
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IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
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