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IRFB7534PBF

IRFB7534PBF Infineon Technologies

infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB7534PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 294W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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135+1.3 EUR
155+1.08 EUR
158+1.02 EUR
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.57 EUR
41+2.09 EUR
46+1.89 EUR
51+1.69 EUR
56+1.54 EUR
100+1.39 EUR
250+1.3 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+2.31 EUR
1000+2.08 EUR
10000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+2.31 EUR
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies Infineon-IRFS7534 IRFSL7534 IRFB7534-DS-v01_02-EN.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON INFN-S-A0003071237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 704 Stücke:
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38+6.62 EUR
75+3.11 EUR
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies irfs7534pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3e2c629c7 Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.03 EUR
10+4.59 EUR
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
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135+1.3 EUR
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IRFB7534PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+2.57 EUR
41+2.09 EUR
46+1.89 EUR
51+1.69 EUR
56+1.54 EUR
100+1.39 EUR
250+1.3 EUR
500+1.27 EUR
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IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 81248 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
250+2.61 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.08 EUR
10000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+2.61 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.08 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
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10+3.28 EUR
100+2.98 EUR
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IRFB7534PBF INFN-S-A0003071237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7534PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.62 EUR
75+3.11 EUR
100+2.57 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
auf Bestellung 7889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.03 EUR
10+4.59 EUR
50+3.53 EUR
100+3.19 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 218 Stücke:
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