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IRFB7534PBF

IRFB7534PBF Infineon Technologies

infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB7534PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 294W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineon_irfs7534_irfsl7534_irfb7534_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
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1+6.83 EUR
10+3.47 EUR
100+3.12 EUR
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2000+2.37 EUR
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineon-irfs7534-irfsl7534-irfb7534-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON INFN-S-A0003071237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 449 Stücke:
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31+8.15 EUR
61+3.86 EUR
100+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 585 Stücke:
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IRFB7534PBF IRFB7534PBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 218 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7937 Stücke:
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117+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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205+3.27 EUR
500+2.89 EUR
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10000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 73248 Stücke:
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205+3.27 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.62 EUR
10000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7887 Stücke:
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38+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7887 Stücke:
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38+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.39 EUR
64+2.75 EUR
65+2.65 EUR
100+2.37 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.4 EUR
64+2.69 EUR
65+2.57 EUR
100+2.25 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
auf Bestellung 379 Stücke:
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IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
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3+7.06 EUR
10+4.61 EUR
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100+3.2 EUR
500+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB7534PBF INFN-S-A0003071237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB7534PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 449 Stücke:
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31+8.15 EUR
61+3.86 EUR
100+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 937 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 585 Stücke:
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IRFB7534PBF infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf
IRFB7534PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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