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IRFB7734PBF

IRFB7734PBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB7734PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 3500 µohm, TO-2220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 183A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 290mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-2220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-2220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
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Dauer-Drainstrom Id: 183A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-2220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
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